请问一下，DDR2 SDRAM 和 DDR2 533什么的有区别嘛？


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首先这两个不是一个概念

DDR2 SDRAM是Double Data Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，中文含意为“第二代双倍数据速率同步动态随机访问存储器”)。它是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR SDRAM技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2 SDRAM却拥有两倍于上一代DDR SDRAM预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2 SDRAM每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。



此外，由于DDR2 SDRAM标准规定所有DDR2 SDRAM均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2 SDRAM的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR SDRAM的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR SDRAM的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2 SDRAM将是大势所趋。

DDR2 SDRAM与DDR SDRAM的区别：
在了解DDR2 SDRAM诸多新技术前，先让我们看一组DDR SDRAM和DDR2 SDRAM技术对比的数据。

1、延迟问题：



从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2 SDRAM的实际工作频率是DDR SDRAM的两倍。这得益于DDR2 SDRAM拥有两倍于标准DDR SDRAM的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2 SDRAM和DDR SDRAM一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2 SDRAM拥有两倍于DDR SDRAM的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR SDRAM的实际频率为200MHz，而DDR2 SDRAM则可以达到400MHz。



这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR SDRAM和DDR2 SDRAM中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。



2、封装和发热量：



DDR2 SDRAM技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR SDRAM的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2 SDRAM可以获得更快的频率提升，突破标准DDR SDRAM的400MHZ限制。



DDR SDRAM内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR SDRAM的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2 SDRAM均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2 SDRAM的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。



DDR2 SDRAM采用1.8V电压，相对于DDR SDRAM标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。



DDR2 SDRAM采用的新技术：


除了以上所说的区别外，DDR2 SDRAM还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。



OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR2 SDRAM通过OCD可以提高信号的完整性。DDR2 SDRAM通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2 SDRAM可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2 SDRAM不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR SDRAM不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（列地址选通）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

所以说 DDR2 533只是一种频率的内存 呵呵 而DDR2 SDRAM 则是一种技术产品名称