引用第2楼aspire5572于2008-03-10 23:08发表的 :LS蝈蝈你在等偶2月吧，偶还没有学到那里呢？只是知道几个模糊的概念：衬底就是基片（substrate/wafer),溅射是薄膜物理中PVD（物理气相沉积）期中的一种方法，就是用高能粒子轰击靶材。溅射气压是指溅射时所需要的真空度。偏压这个就不知晓了.......
引用第6楼aspire5572于2008-03-15 12:46发表的 :帮LZ翻查了一下书，书上对偏压的定义如下：偏压溅射是在一般溅射装置的基础上，将衬底的电位与接地阳极（即真空室）的电位分开设置，在衬底与等离子体之间有目的地施加一点大小的偏执电压，吸引一部分粒子流向衬底，用改变入射到衬底表面的带点粒子的数量和能量的手段，达到改善薄膜微观组织与性能的目的的方法。
