我是微电子的，但毕设选的是固电题目。需要做供磁溅射。主要是外网不好找啊
需要解释的是：衬底温度    溅射功率    溅射气压    偏压

急求，谢谢了。


[ 此帖被wbb850709在2008-03-16 12:23重新编辑 ]

我还没有听说过这些名词。。。我孤陋寡闻了。。。

LS蝈蝈你在等偶2月吧，偶还没有学到那里呢？只是知道几个模糊的概念：衬底就是基片
（substrate/wafer),
溅射是薄膜物理中PVD（物理气相沉积）期中的一种方法，就是用高能粒子轰击靶材。
溅射气压是指溅射时所需要的真空度。
偏压这个就不知晓了
“献宝”了

  全是机器上面调的  不消知道太多

Quote:

引用第2楼aspire5572于2008-03-10 23:08发表的  :
LS蝈蝈你在等偶2月吧，偶还没有学到那里呢？只是知道几个模糊的概念：衬底就是基片
（substrate/wafer),
溅射是薄膜物理中PVD（物理气相沉积）期中的一种方法，就是用高能粒子轰击靶材。
溅射气压是指溅射时所需要的真空度。
偏压这个就不知晓了
.......

谢谢gg，解决了一个。

哪位同学再帮我解释下偏压就OK了，谢谢

帮LZ翻查了一下书，书上对偏压的定义如下：
偏压溅射是在一般溅射装置的基础上，将衬底的电位与接地阳极（即真空室）的电位分开设置，在衬底与等离子体之间有目的地施加一点大小的偏执电压，吸引一部分粒子流向衬底，用改变入射到衬底表面的带点粒子的数量和能量的手段，达到改善薄膜微观组织与性能的目的的方法。

Quote:

引用第6楼aspire5572于2008-03-15 12:46发表的  :
帮LZ翻查了一下书，书上对偏压的定义如下：
偏压溅射是在一般溅射装置的基础上，将衬底的电位与接地阳极（即真空室）的电位分开设置，在衬底与等离子体之间有目的地施加一点大小的偏执电压，吸引一部分粒子流向衬底，用改变入射到衬底表面的带点粒子的数量和能量的手段，达到改善薄膜微观组织与性能的目的的方法。

很感激，谢谢了