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polen2



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5come5帮你背单词 [ negotiate /ni'gəuieit/ vi. 谈判;vt. 议定 ]


关于 内存的问题

请问一下,DDR2 SDRAM 和 DDR2 533什么的有区别嘛?


[ 此贴被carrot159在2006-11-01 21:04重新编辑 ]
顶端 Posted: 2006-10-28 21:30 | [楼 主]
polen2



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5come5帮你背单词 [ author /'o:θə/ n. 作者,著者 ]


没人知道嘛?
顶端 Posted: 2006-10-28 21:41 | [1 楼]
kingmax





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5come5帮你背单词 [ involve /in'volv/ vt. 使卷入,使参与,牵涉,包含,包括 ]


首先这两个不是一个概念

DDR2 SDRAM是Double Data Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,中文含意为“第二代双倍数据速率同步动态随机访问存储器”)。它是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR SDRAM技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2 SDRAM却拥有两倍于上一代DDR SDRAM预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2 SDRAM每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。



此外,由于DDR2 SDRAM标准规定所有DDR2 SDRAM均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2 SDRAM的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR SDRAM的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR SDRAM的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2 SDRAM将是大势所趋。

DDR2 SDRAM与DDR SDRAM的区别:
在了解DDR2 SDRAM诸多新技术前,先让我们看一组DDR SDRAM和DDR2 SDRAM技术对比的数据。

1、延迟问题:



从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2 SDRAM的实际工作频率是DDR SDRAM的两倍。这得益于DDR2 SDRAM拥有两倍于标准DDR SDRAM的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2 SDRAM和DDR SDRAM一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2 SDRAM拥有两倍于DDR SDRAM的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR SDRAM的实际频率为200MHz,而DDR2 SDRAM则可以达到400MHz。



这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR SDRAM和DDR2 SDRAM中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。



2、封装和发热量:



DDR2 SDRAM技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR SDRAM的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2 SDRAM可以获得更快的频率提升,突破标准DDR SDRAM的400MHZ限制。



DDR SDRAM内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR SDRAM的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2 SDRAM均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2 SDRAM的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。



DDR2 SDRAM采用1.8V电压,相对于DDR SDRAM标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。



DDR2 SDRAM采用的新技术:


除了以上所说的区别外,DDR2 SDRAM还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。



OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR2 SDRAM通过OCD可以提高信号的完整性。DDR2 SDRAM通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。
ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2 SDRAM可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2 SDRAM不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR SDRAM不能比拟的。
Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(列地址选通)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
远程图片:1.gif 远程图片:2.gif
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    5come5帮你背单词 [ scorn /sko:n/ v. 轻蔑、瞧不起 v. & n. 蔑视,藐视,嘲笑 ]


    所以说 DDR2 533只是一种频率的内存 呵呵 而DDR2 SDRAM 则是一种技术产品名称
    顶端 Posted: 2006-10-28 21:49 | [3 楼]
    xian629





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    533是说频率
    顶端 Posted: 2006-10-28 21:50 | [4 楼]
    polen2



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    5come5帮你背单词 [ explanation /eksplə'neiən/ n. 解释,说明,辩解 ]


    看来我现在只有拆机子才能知道自己是什么频率的笔记本内存了.....
    顶端 Posted: 2006-10-28 21:56 | [5 楼]
    蔚蓝依旧



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    EVEREST可以测出来
    顶端 Posted: 2006-10-28 22:19 | [6 楼]
    shmild





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    电子科技大学和电子科技大学xxx学院的区别
    顶端 Posted: 2006-10-29 18:21 | [7 楼]
    太空人



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    确实不怎么聪明,随便都可以搜出来
    顶端 Posted: 2006-11-01 20:30 | [8 楼]
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